国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究

刘刚; 蔡小五; 韩郑生; 陆江; 王立新; 夏洋

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分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.

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来源
《核技术》 |2008年第8期|613-615|共3页
作者
刘刚; 蔡小五; 韩郑生; 陆江; 王立新; 夏洋;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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正文语种 chi
中图分类微模组件;
关键词
VDMOS; 总剂量; 电离辐照; 功率MOSFET;

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