X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究

摘要

本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理.用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子.计算结果表明:当X射线为30-300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应.金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0-10 μm时,剂量增强因子随金的厚度增大；当金的厚度超过10 μm后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少.