B4C-PE复合材料中子屏蔽性能研究

孟宪芳; 孙超; 张龙; 曹可; 秦培中

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B4C-PE复合材料中子屏蔽性能研究

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利用252Cf中子源产生快中子场和热中子场,对系列不同B4C含量B4C-PE复合材料的中子宏观截面进行了实验研究和MCNP模拟计算.结果表明:热中子宏观截面在±5％内相符,快中子宏观截面在±10％内相符;B4C-PE复合材料对热中子的屏蔽效果明显好于聚乙烯.研究结果可为中子屏蔽材料研发和工程设计提供参考.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2019年第3期|260-264|共5页
作者
孟宪芳; 孙超; 张龙; 曹可; 秦培中;
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作者单位

北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类屏蔽试验;
关键词
252Cf中子源; 中子宏观截面; MC模拟; B4C-PE复合材料;

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