江门地下中微子实验室HPGe γ谱仪性能模拟研究

摘要

利用Geant4模拟研究HPGe γ谱仪在江门地下700 m实验室的性能.研究表明:江门地下实验室中,HPGe γ谱仪的本底(100～2 700 keV)将可达到低于0.105计数/min.该研究结果将可用于江门及其他类似实验室的低本底高纯锗γ谱仪的设计和性能参考.提出了能够进一步改进高纯锗γ谱仪性能的方法,即在HPGe γ谱仪中增加反康普顿探测器.增加反康普顿探测器后,谱仪积分本底将可减少约为原来的1/27,对40K的检出限降低至μBq/kg.