首页> 中文期刊> 《核电子学与探测技术》 >基于VME机箱多丝正比室电子学性能测试

基于VME机箱多丝正比室电子学性能测试

         

摘要

利用多丝正比室对基于VME机箱读出电子学及数据获取系统进行调试,调试过程中对电子学系统的一些参数进行了合理的设置,同时对电子学的性能进行了测试,使得电子学系统的设置符合多丝正比室探测器的要求,以提高探测器的性能.同时对两种不同的数据处理方法进行了比较,测得多丝正比室的沿着阳极丝方向的位置分辨约为0.2~0.3 mm.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号