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王群勇; 刘燕芳; 陈宇; 姜大勇; 白桦;
北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司,北京,100089;
稳态总剂量; 剂量率; 界面态; 氧化物陷阱电荷;
机译:累积总电离剂量(TID)和瞬态剂量率(TDR)对平面和垂直铁电隧道场效应 - 晶体管(TFET)的影响
机译:TID在类似空间的可变剂量率和恒定剂量率中的作用比较
机译:高剂量率和低剂量率总剂量辐照的双极线性电路响应机制分析
机译:各向异性磁阻传感器中剂量率和TID效应的研究
机译:低压差稳压器中总剂量效应的分析
机译:在各种剂量率下长时间暴露于电离辐射下的剂量率效应和细胞周期分布的研究
机译:最大剂量率是131I治疗Graves病后甲状腺功能减退的决定因素,但甲状腺吸收的总剂量并未确定
机译:空间变量剂量率的TID效应
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量法,以及扩大辐照期间可测量吸收辐射剂量上限的方法
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
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