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甘永学; 陈汴琨;
不详;
陶瓷材料; 电磁特性; 二氧化锆;
机译:通过非污染DCC-HVCI方法制备的MgO掺杂BA0.67SR0.333TiO3陶瓷的高度增强介电损耗
机译:低温共烧陶瓷的低介电损耗和谐振频率近零温度系数的LiF和CaTiO掺杂MgO_3的微波介电性能
机译:考虑到超高频电磁辐射的温度的电气特性的非线性依赖性时,聚合物 - 半导体复合系统中的介电损耗
机译:用于非线性光学应用的MgO掺杂附近的MgO掺杂近代的LiNo {Sub} 3中的材料特性
机译:钛酸锶玻璃陶瓷的介电性能(介电损耗,常数,低温特性,结晶化)。
机译:掺杂LiF的(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.93Sn0.07)O3无铅压电陶瓷板的介电压电和振动特性
机译:从核壳型BaTiO3 @ MgO到火花等离子体烧结的纳米结构低介电损耗陶瓷
机译:mgo和蓝宝石的介电损耗
机译:用于半导体生产设备的基于MgO MgO Mgo的陶瓷膜组件和用于生产基于Mgo的陶瓷膜的方法
机译:MgO-nAl 2 Sub> O 3 Sub>陶瓷与铁离子的掺杂方法
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