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张胜坤; 付正文;
无;
机译:脉冲激光沉积沉积Ta2O5薄膜的Al / Ta2O5 / n-Si结构的C-V和DLTS研究
机译:通过DLTS和C-V测量研究Al / Si_3N_4 / Ultrathin Si / GaAs结构
机译:含纳米氧化物TA2O5 / SiOxNY介电叠层的Al /介电/ Si结构的C-V和I-V特性的精致分析
机译:通过脉冲激光沉积和耐疲劳性C-V特性在低温下制备SR_(0.7)Bi_(2 + X)Ta_2O_9薄膜,耐脉冲激光沉积,耐疲劳的C-V特性,具有大的内存窗口
机译:通过脉冲激光沉积制备半金属磁性氧化物薄膜的材料物理学:控制锶铁钼氧化物和铬氧化物薄膜的晶体结构和近表面性质。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。
机译:使用Ta2O5薄膜作为介电层的Ta2O5电容器的制造方法
机译:用Ta2O5薄膜作为介电膜制造Ta2O5电容器的方法
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