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戴闻; 冯庆荣; 高政祥;
中国科学院理化技术研究所低温中心;
北京;
100080;
北京大学物理系;
100871;
MgB 2 超导电性 电子结构 临界参数 输电;
机译:MgB2管中粉末的定性比较分析:超导电性和X射线锥束显微断层扫描
机译:原位加工MgB2超导体中反应诱导的孔形成和超导电性
机译:具有氮化铝缓冲层的MgB2溅射薄膜的超导电性
机译:高温超导电性是电荷储存器超导电性
机译:过渡金属中超导电性的近距离电子隧道研究,以及在“正常”金属镁中的超导电性。
机译:自由表面重铸了几层MgB2中的超导电性:结合第一性原理和ARPES演示
机译:过渡金属中超导电性的体积依赖性及其与高温超导电性的关系
机译:超导电性薄膜材料的制造方法,超导电性设备及超导电性薄膜材料
机译:旋转电氟西丁酮掩蔽素,具有超导电性,毡状,超导电性和超导电性
机译:MGB2超导线材,MGB2超导线材和MGB2超导线材前体的制造方法
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