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邓志杰(摘译);
高速晶体管; 速度限制; InP; 模拟/数字转换器; 研究开发; 工作频率; 工艺应用; 美国军方; 数字雷达;
机译:突破复制速度限制
机译:突破ARDUINO速度限制
机译:布雷尔突破高速度限制
机译:通过室温沉积SiN {Sub} X钝化基础INP / INGAAS / INP双异质结构双极晶体管的钝化分子晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:InP / GaAsSb / InP异质结双极晶体管转移到衬底上的应用研究与实现。
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。
机译:aipsb / inp simple--用于高速和高功率应用的异质结双极晶体管inp基板
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
机译:AIPSb / InP单直过渡双极晶体管到InP衬底,用于高速和高性能应用
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