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张瑞玲; 王莹;
商丘职业技术学院,河南,商丘,476000;
HfO2薄膜; 等离子氧化; 微结构; 形貌;
机译:温度对纳米晶硒化嵌入Zr掺杂HfO2高k介电薄膜的介电击穿和电荷保留的影响
机译:退火温度对HfO2 /多孔低k介电堆栈电学和可靠性特性的影响
机译:HFO2高K介电薄膜的脉冲金属有机化学气相沉积前驱物的比较
机译:退火温度对BiFeO_3薄膜形貌和介电性能的影响
机译:工艺对热液钛酸钡和钛酸钡钡薄膜的微结构和介电性能的影响。
机译:SiO2薄膜的形貌是介电常数各向异性为负的液晶取向的关键因素
机译:HfO2高k栅介电薄膜在Si上的两步界面反应
机译:退火温度对直流溅射Cr-si薄膜电阻器TCR和电阻值的影响,
机译:柱状微结构介电薄膜的沉积方法及其介电薄膜结构,能够通过改变基体和振荡的振荡速度来获得介电薄膜的各种柱状微结构。
机译:高介电薄膜,形成高介电薄膜的材料和形成高介电薄膜的方法
机译:高介电纳米片层叠体,高介电纳米片层叠体,高介电元件的制造方法以及高介电薄膜元件
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