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机译:具有低于10 nm顶栅高k电介质的双栅MoS_2晶体管
机译:具有高ZrO2栅绝缘体的顶栅MgZnO薄膜晶体管的低频噪声分析
机译:非晶InGaZnO4薄膜晶体管中光诱导顶栅效应对光子通量和顶栅电压的依赖性
机译:具有正阈值电压的金属顶栅/高k /溅射MoS_2的存储容量特性
机译:顶栅硅/硅锗量子器件中的隧道势垒研究。
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:具有高k电介质的顶栅二硫化钼场效应晶体管的电学特性
机译:在aVector计算机上求解丢番图方程(X Cubed)+(Y Cubed)+(Z Cubed)= K
机译:顶栅TFT的制造方法和顶栅TFT
机译:一种利用硅的自匹配结晶与金属的自匹配结晶的半导体器件用于TFT,顶栅形式TFT的空顶栅形式的薄膜晶体管的生产方法
机译:包括顶栅薄膜晶体管的半导体器件的制造方法和包括顶栅薄膜晶体管的有源矩阵器件的制造方法
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