宽带数控延时线芯片研究

摘要

数控延时线芯片通常被应用于微芯片-微计算机-微电子学的电路设计开发与测试技术中.为了达到高的电阻延迟精度和大量的延迟度,设计一款有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路.电路芯片选用GaAs PHEMT材料和单片微波集成工艺实现,采用电路与电磁场相结合的方式设计仿真实验,对外延材料进行优化.通过测试,电路比传统设计体现出更更好的回波损耗和更小的回波插入损耗波动,验证了砷化物微波单片集成电路的设计理论,为砷化镓微波集成电路的设计提供了重要线索.