缺陷对LSI和VLSI的危害及其控制的方法

摘要

本文着重的讨论了缺陷(包括材料内在的和加工过程中引入的缺陷)对集成电路的危害。这些缺陷包括材料中的位错、沉积物和旋涡等。在光刻、氧化、扩散、离子注入、电子束蒸发和等离子刻蚀的过程中都会引入缺陷。这些缺陷主要是以各种形式的位错出现。这些缺陷使集成电路LSI和超大规模集成电路(VLSI)管芯漏电变大、管芯内电阻率变化加大、MOS电路阈值漂移以致