抗辐射体硅CMOS工艺技术研究

摘要

论述和分析了在抗辐射体硅ＣＭＯＳ工艺制造过程中，栅介质种类，栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射的能力的关系。