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混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

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摘要

给出了混合电压I/O电路坚固的ESD保护结构,它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成.这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成.为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径.

著录项

来源
《微处理机》|2002年第1期|19-22|共4页
作者
岳震; 谢俊玲; 徐玲;
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作者单位

东北微电子研究所,沈阳,110032;

东北微电子研究所,沈阳,110032;

东北微电子研究所,沈阳,110032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
静电放电混合电压I/O电路组合NMOS 硅化物工艺 HBM;
入库时间 2023-07-25 18:37:56

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