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陈智; 孙大成;
中国电子科技集团公司第四十七研究所;
沈阳;
110032;
衬底偏压效应; CMOS传输门; 双向收发器;
机译:衬底偏压对柔性衬底上溅射Mo薄膜的结构和电性能的影响
机译:衬底偏压对沉积在硅衬底上的溅射HfO2薄膜电性能的影响研究
机译:结合深度X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱研究沉积压力和衬底偏压对磁控溅射生长的Ga掺杂ZnO薄膜的电性能和组成的影响
机译:交流偏压辅助CVD对衬底上衬底偏压对3C-SiC沉积的影响
机译:pH和电偏压对水溶液中氧化铝磨损的影响。
机译:极化偏压和多孔硅形态对金-多孔硅触点电性能的影响
机译:大规模混合信号电路中有效衬底噪声分析的方法
机译:组分和衬底偏压对溅射沉积Ni-La合金组织和惰性气体含量的影响
机译:为了控制集成电路中的衬底偏压的电路,系统和方式
机译:在衬底上形成电介质层,包括从工艺气体在等离子体电极和衬底之间产生等离子体,以及通过衬底和工艺气体的至少部分化学反应在衬底上形成电介质层。
机译:非活性电结构的制造方法,以优化集成在半导体衬底和相应电路上的电子电路中的有源电结构的定义
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