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于海冬; 孙显龙; 李旷世; 揣荣岩;
沈阳工业大学;
沈阳;
110870;
带隙基准; 比较启动; 双极工艺;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:考虑带隙能量的热依赖性,重新分析基本带隙基准电压电路
机译:具有0.18%标准偏差和68 nW功耗的带隙基准电压源的可变性设计
机译:5.9ppm /°C分段曲线校正的180nm CMOS工艺中的启动免费带隙基准电压源的设计
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:三元光物理性质的研究Zn-Ga-S量子点:带隙与亚带隙激发和排放
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。
机译:带隙基准电压产生电路通过快速启动来产生带隙基准电压
机译:将浮动带隙基准电压转换为固定缓冲基准电压的设计技术
机译:带隙基准电压产生电路及带隙基准电压产生系统
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