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彭自求; 王军; 袁凯; 何峰; 蒋亚东;
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
成都;
610054;
牺牲层技术; 光敏聚酰亚胺; 亚胺化; 牺牲层释放;
机译:基于聚酰胺酸作为聚酰亚胺前体和重氮萘醌作为光敏化合物的具有高尺寸稳定性和低介电常数的正型光敏碱性可显影聚酰亚胺
机译:一种正型光敏碱性可显影的聚酰亚胺,具有高度的尺寸稳定性和低介电常数,基于聚(酰胺酸)作为聚酰亚胺前体,而重氮萘醌作为光敏化合物(第36卷,第2261页,
机译:光敏化合物结构对正型光敏聚酰亚胺光敏性的影响
机译:非光敏聚酰亚胺将非光敏聚酰亚胺集成到现有的交叉光致抗蚀剂过程中
机译:自动光敏聚酰亚胺的气相沉积和图案化。
机译:通过紫外线辅助静电纺丝和光敏清漆增强聚酰亚胺电纺垫的耐溶剂性
机译:无色聚酰亚胺来自具有受控空间结构(4)的脂环族四羧酸二酐。应用于酰亚胺化控制范围的正型光敏聚酰亚胺系统的应用。
机译:新型光敏聚酰亚胺抗蚀剂由可溶性聚酰亚胺和双(全氟苯基叠氮化物)作为交联剂组成
机译:用于光敏聚酰亚胺前体的可溶性聚酰亚胺和包含该可溶性聚酰亚胺的光敏聚酰亚胺前体组合物
机译:用于光敏聚酰亚胺的可溶性聚酰亚胺和包含该可溶性聚酰亚胺的光敏聚酰亚胺组合物
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