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紫外光电探测器研制

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摘要

采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备.基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用Si02+Al2O3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论.

著录项

来源
《微处理机》 |2013年第6期|18-19|共2页
作者
吴会利; 刘剑; 申猛;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳 110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳 110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳 110032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
碳化硅; 光电探测器; 宽带隙; 抗反射;

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