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Ahlb.B; 陈荣玲;
不详;
存储器; DRAM; 16兆位; 介质; 工艺;
机译:使用千兆位技术的高性能16 Mb DRAM
机译:16兆位DRAM芯片中介子引起的软扰动
机译:摩托罗拉-东芝风险投资公司完成了16兆位的DRAM工厂
机译:0.115 / spl mu / m / sup 2 / 8F / sup 2 / DRAM工作单元,具有LPRD(低寄生电阻器件)和多金属门技术,用于千兆位DRAM
机译:在下一代光子器件的有机电光材料中引入并保持偶极子取向的先进处理方法。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:多千兆位可见光通信先进技术综述
机译:来自台湾的1兆位以上的DRam。第731-Ta-811号调查(最终).211委员会的决定和意见
机译:16兆位DRAM阵列的堆叠单元设计,具有一对相互连接的多晶硅层,该多层包围单个场板层并连接到单元的存储节点结点
机译:高性能PMOSFET,采用分裂多晶硅CMOS工艺并结合了先进的堆叠电容单元,用于制造多兆位DRAM
机译:用于千兆位以外的DRAM单元的SOI器件及其制造方法
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