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徐小城;
上海华虹集团有限公司技术中心,;
铜; 大马士革结构; 物理汽相淀积; 铜阻挡层; 铜子晶; 电镀;
机译:开发具有长期稳定性的两步电镀工艺,以应用于0.1微米级逻辑超大规模集成电路的铜金属化
机译:集成电路应用中铜金属镀层中界面空隙的稳定性
机译:深亚微米集成电路的势垒/超低k结构中Ta和TaN(N)的比较研究
机译:深亚微米集成电路制造过程中声发射对铜覆层化学机械抛光的终点监测
机译:集成电路-基板封装制造中可使用的铜电沉积工艺
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用同步加速器X射线形貌,微拉曼光谱和有限元建模检查焊料凸点回流工艺和铜金属化工艺在硅衬底中引起的应力分布
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:用于半导体集成电路的深亚微米工艺的金属电容器的制造方法
机译:等离子体清洁工艺,用于集成电路结构中铜金属镀层上至少一个低介电常数绝缘层中形成的开口
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