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姚胡静; 陈新华; 方芳; 谢婷婷; 王志功;
东南大学射频与光电集成电路研究所,;
CMOS工艺; 变频集成电路; 移动通信; 射频模块;
机译:完全集成的5.2GHz单端输入和单端输出0.18μmCMOS Gilbert上变频器
机译:在0.35- $μmCMOS中具有自适应偏移的1.2GHz比较器
机译:适用于0.18μmCMOS工艺中3.1-10.2GHz频段UWB应用的平坦增益LNA设计
机译:一个0.35μmCMOS 200kHz–2GHz全模拟闭环电路,用于集成数字系统中的连续时间时钟占空比校正
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:厚的0.35μmCMOS单光子雪崩二极管雪崩瞬变
机译:采用0.13μmCmOs工艺设计1.8-2.2GHz频段的LNa
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。
机译:深度小于0.1μmCMOS器件的自对准口袋工艺及其器件
机译:通过采用0.35标准程序的0.35 2 2 BITS闪存单元及其制造方法
机译:含铁和碳含量不超过0.35%的碳素钢合金合金的三相组织包括与铁素体-奥氏体马氏体晶体融合的晶体,该相不含碳化物沉淀;合金的制造工艺。
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