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多层金属化中的钨插塞技术

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摘要

本文介绍了亚微米ULSI工艺中,采用钨插塞(Tungsten Plug)制作接触孔与通孔的技术,对于WCVD、W Etchback及其常见工艺问题作了一些分析,此项技术已经用于C05电路的工艺流片.

著录项

来源
《微电子技术》 |2003年第1期|13-15|共3页
作者
李红征; 谢一强;
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作者单位

信息产业部电子58所,无锡,214035;

信息产业部电子58所,无锡,214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN405.98+6;
关键词
钨插塞(Tungsten Plug); 台阶覆盖(Step Coverage); 覆盖式钨淀积(Blanket WCVD); 钨反腐(W Etchback); 粘着层(Glue layer);

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