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邓杰海; 汤彬; 李卫红;
东华理工学院;
抚州市科学技术情报研究所;
AVR; ATmega128; 扩展512; KB; SRAM; 掉电数据保护;
机译:具有512 KB SRAM和真正的并行总线扩展功能的增强型Arduino巨型功能
机译:使用Atmel ATmega1284P微控制器的加电SRAM状态作为物理不可克隆的功能来生成密钥和识别芯片
机译:具有0.3位以下面积的L型7T SRAM,具有读位线摆动扩展方案,该方案基于增强型读位线,非对称V $ _ {rm TH} $读端口和偏置单元VDD偏置技术
机译:用于512M位密度SRAM的高面积效率和成本效益的双堆叠S / sup 3 /(堆叠单晶硅)外围CMOS SSTFT和SRAM单元技术
机译:纳米CMOS中用于SRAM优化设计的电路和CAD解决方案。
机译:由20kb病毒RNA基因组编码的三种不同的RNA沉默抑制子
机译:具有自适应VVss控制的高性能低VmIN 55nm 512Kb无干扰8T sRam
机译:512x512 mWIR sLEDs投影仪的热性能表征。
机译:通过应用无线DMX512和成功的温度控制方案来进行景观照明
机译:可编程SRAM源偏置方案,用于可切换SRAM电源电压组
机译:可编程SRAM源偏置方案,用于可切换SRAM电压电源集
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