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丁泰勇;
非易失性存储器 MRAM 3D 解析 技术 256Mb 存储芯片 接口规范;
机译:日本和美国的20家半导体公司将联合开发下一代存储器“ MRAM”
机译:AIST将非易失性磁性存储器(STT-MRAM)的存储稳定性提高了一倍,并加速了大容量STT-MRAM的实际开发
机译:DSH-MRAM:用于片上存储器的差分自旋霍尔MRAM
机译:在20世纪20世纪的北太平洋,华盛顿海岸和普吉特的声音中,强劲,低频(Decadal)环保氟普朗
机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度。
机译:校正至:3D与4 K显示系统-微创手术中最新显示技术对手术性能的影响(IDOSP研究):一项随机交叉试验的方案
机译:DsTT-mRam:用于片上存储器的差分自旋霍尔mRam
机译:国家运输安全委员会飞机事故报告:在强劲和强劲的侧风条件下试图起飞时的跑道侧偏移,美国大陆航空公司1404航班,波音737-500,NN18611,科罗拉多州丹佛市,2008年12月20日
机译:u0442 u0440 u0438 u044d u0442 u0438 u043b u0430 u043c u043c u043c u043e u043d u0438 u0435 u0432 u0430 u044f盐之二 / 2.2- u0434 u0438 u0444 u0442 u043e u0440-5.6-( u0431 u0435 u043d u0437 u043e u0442 u0438 u0435 u043d u043e / 2,3-(e)-1,3,2- u0434 u0438 u043e u043a u0441 u0430 u0431 u043e u0440 u0438 u043d-4 / u043f u0435 u043d u0442 u0430 u043c u0435 u0442 u0438 u043d u0446 u0438 u0430 u043d u043d光谱红色区域中辐射的光量子生成器的活动环境 u0433 u0435 u043d u0435 u0440 u0438 u0440 u0443
机译:1,2,6,7之二-(9 u043d,10 u043d-蒽-9,10- u0434 u0438 u0438 u043b)pyr作为光学传感器检测 u043d u0438 u0442 u0440 u043e u0441 u043e u0435 u0434 u0438 u043d u0435 u043d u0438 u0439和硝酸脂族酯
机译:具有密度可控的虚拟填充策略的内存设备,用于近MRAM外围和远程MRAM技术的远程MRAM技术
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