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王伟东; 胡正; 冯旭; 汪西川;
200072 上海 延长路149号上海大学221信箱;
BiCMOS; 能隙基准电压; CADAENCE;
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:具有完整温度范围曲率补偿的2.2V 2.9ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:BiCMOS级联带隙基准电压源
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:一种新的开源工具可通过共聚焦激光扫描显微镜测量3D骨细胞腔隙的几何形状揭示了与年龄相关的皮质小鼠骨骼腔隙大小和形状的变化
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:阻尼火花隙触发电路中的谐振电流以降低噪声。
机译:广域电源biCMOS带隙基准电压电路及基准电压提供方法
机译:宽范围电源BiCMOS带隙基准电压电路
机译:带隙基准电压产生电路及带隙基准电压产生系统
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