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石乔林; 李天阳; 田海燕;
江南大学;
中国电子科技集团58研究所;
静态功耗; 亚阈值电流; 阈值电压; 集成电路;
机译:CMOS纳米集成电路中的静态功耗
机译:评估优化亚阈值设计的途径:深亚微米和超深亚微米区域中的比例大块nMOSFET
机译:<![CDATA [可扩展的 < MML:MROW> α MML:MI> MML:MROW> MML:MATH> -Power定律MOSFET模型,用于超深亚微米数字集成电路设计的表征]]]>
机译:用于双V Sub T技术的深亚微米CMOS电路的静态功耗优化
机译:深亚微米集成电路设计中的串扰噪声。
机译:化学集成电路:互补金属氧化物半导体集成电路上的化学系统
机译:双VT技术深亚微米CmOs电路的静态功耗优化
机译:使用深亚微米超大规模集成(VLsI)技术的认知处理器设计的性能和功耗优化
机译:结合数据中心的动态和静态功耗以及性能优化
机译:三端级联开关,用于控制集成电路中的静态功耗
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