热释电红外传感器专用控制芯片的设计

摘要

文章阐明了一种采用0．6μm 1P1M CMOS工艺的热释电红外传感器专用控制芯片的设计。该芯片在[4．0V，6．0V]内稳定工作。具有较高的电源抑制比和较低的温漂，并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释电红外传感器信号．应用前景十分广阔。