热蒸发法制备Sb2Se3薄膜及后退火温度对其性能的影响

摘要

采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb2Se3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右.探索了不同退火温度对Sb2Se3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb2Se3/AL结构的电池,效率为0.047％.