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李雪莹; 叶建芳; 董琳;
东华大学信息科学与技术学院;
上海201620;
Mulitisms13.0; 调谐放大器增益; 发射极电阻; 静态工作点;
机译:高性能Gaas和Inp异质结双极晶体管的发射极电阻研究
机译:丝网印刷回蚀工艺选择性发射极晶体硅太阳能电池浅发射极薄层电阻的仿真研究
机译:通过仿真和实验研究单发射极和双发射极硅太阳能电池的基本串联电阻损耗
机译:带有闪蒸旁路和机械子冷却器的跨临界CO_2装置的实验研究和性能比较
机译:带有吡啶和二酰胺部分的C3对称非齿配体体系,用于镧系元素和act系元素的萃取,以及带有双(萘并氮烯酮)环体系的扩展卟啉体系的分子轨道和电子跃迁的DFT水平计算研究
机译:一种可靠而简单的方法用于制造带有角集成发射极的聚二甲基硅氧烷电喷雾电离芯片
机译:定制发射极轮廓以接触均质高薄层电阻发射极
机译:钝口侧入口的性能,带有斜坡泄放,旁路和发动机前方的长恒定区域管道:马赫数0.66和1.5到2.1
机译:带有乘法器的非紧凑材料性能研究装置
机译:发射极接地型调谐放大器电路
机译:电路,特别是微控制器的输出驱动器,具有开关元件和设置在输出晶体管的发射极上的发射极电阻,使得信号输入通过串联电阻与输出晶体管的基极相连。
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