一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准

摘要

在很多应用中,带隙基准需要在很宽的电源电压范围内都能正常工作,而启动电路注入带隙基准的电流大小往往会因为电源电压的变化而受到影响。因此,对带隙基准的启动行为研究变得很重要,尤其对于自偏置电流模式带隙基准,该结构在启动过程中有一段非正常工作区。文章详细分析了影响自偏置电流模式带隙基准正常启动的原因,进而提出一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准,增强了自偏置电流模式带隙基准的启动鲁棒性,同时也简化了启动电路的设计。带隙基准的设计采用65 nm CMOS工艺,温度系数为17.2 ppm/℃,总电流消耗为35μA。