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铌酸锂晶片CMP过程的工艺参数研究

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摘要

在铌酸锂晶片的化学机械抛光过程中,许多参数会在根本上影响CMP的化学和机械作用,但是把某一参数简单地归类于化学参数或机械参数都是不恰当的,文中分析了这些参数以及如何控制这些参数来影响CMP过程.

著录项

来源
《机械工程师》 |2003年第7期|22-24|共3页
作者
邢彤; 袁巨龙; 赵文宏; 曹志锡;
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作者单位

浙江工业大学,浙江,杭州,310014;

浙江工业大学,浙江,杭州,310014;

浙江工业大学,浙江,杭州,310014;

浙江工业大学,浙江,杭州,310014;

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正文语种 chi
中图分类抛光;
关键词
铌酸锂晶片; 化学机械抛光; 工艺参数;

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