微量V2O5对Mn—Zn铁氧体性能的影响

摘要

采用Ｖ２Ｏ５做为添加剂，利用传统的氧化物法制备的Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体材料，其磁性能得到优化，磁导率μ－２４００；功耗Ｐ（１００℃，１６ｋＨｚ，１５０ｍＴ）＝６ｍＷ／ｇ，Ｐ（１００℃，２５ｋＨｚ，２００ｍＴ）＝１８ｍＷ／ｇ，Ｐ（１００℃，２００ｋＨｚ，２００ｍＴ）＝９４ｍＷ／ｇ，居里温度Ｔｃ＝２００℃，饱和磁通Ｂｓ＝５０７ｍＴ；剩余磁通Ｂｒ＝８７ｍＴ，矫顽力Ｈｃ＝１２．６Ａ／ｍ；密度ｄ＝４．８５ｇ／ｃｍ＾３，电阻率ρ＝２２５０Ω．ｃｍ。由于其具有很高的电阻率，在高频状态下，功耗的主要部分涡流损耗将大幅度下降，因此该种材料可以用〉２００ｋＨｚ的高频范围使用。