首页> 中文期刊>材料导报 >沉积温度对三倍频ZrO2薄膜能隙的影响

沉积温度对三倍频ZrO2薄膜能隙的影响

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用电子束蒸发沉积制备了不同基底温度的ZrO2单层薄膜.计算了薄膜在三倍频处的折射率、消光系数,分析了基底温度对薄膜带隙的影响及薄膜性质与损伤阈值的关系,得出了薄膜能隙随温度升高而降低,薄膜在三倍频处的损伤阈值与能隙成正比关系,这与薄膜损伤机理-多光子吸收、雪崩电离机理相符.

著录项

来源
《材料导报》|2004年第z3期|119-121|共3页
作者
胡江川; 王万录; 马平; 陈松林; 万步勇;
展开▼
作者单位

重庆大学数理学院,重庆,400044;

成都精密光学工程研究中心,成都,610041;

重庆大学数理学院,重庆,400044;

成都精密光学工程研究中心,成都,610041;

成都精密光学工程研究中心,成都,610041;

重庆大学数理学院,重庆,400044;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
ZrO2薄膜; 电子束蒸发; 光能隙; 激光损失阈值;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 沉积温度对ZrO2薄膜结构及表面形貌的影响 [J] . 马春雨 ,张庆瑜 . 真空科学与技术学报 . 2006,第z1期
2. 沉积工艺对高k栅介质ZrO2薄膜生长行为的影响 [J] . 马春雨 ,李智 ,张庆瑜 . 无机材料学报 . 2007,第004期
3. 离子注入对复合沉积ZrO2薄膜的组织结构影响规律分析 [J] . 孙跃 ,张景宝 ,王洋 . 中国材料科技与设备 . 2006,第006期
4. PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响 [J] . 秦毅 ,赵婷 ,王波 . 无机材料学报 . 2014,第007期
5. 退火温度对ZrO2高介电薄膜电学性能的影响 [J] . 郑丹 ,丁驰竹 . 电子元件与材料 . 2012,第010期
6. 沉积温度对三倍频ZrO2薄膜能隙的影响 [C] . 胡江川 ,成都精密光学工程研究中心 ,王万录 . 海峡两岸第二届工程材料研讨会 . 2004
7. 正偏压作用下离子复合沉积ZrO2薄膜的结构与力学性能 [A] . 薛旭斌 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号