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刘志勇; 刘翠芳; 倪宝荣;
桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室,桂林,541004;
福冈工业大学功能材料研究中心,福冈,811-0295,日本;
MgB2; 掺杂; 辐照; 超导电性;
机译:碳掺杂和中子辐照的MgB2的超导和常态性能
机译:碳掺杂和中子辐照修饰MgB2单晶中的缺陷结构
机译:无序对单晶MgB2不可逆磁性能的影响:碳掺杂和中子辐照的比较
机译:通过连续方法形成原位SiC掺杂MGB2线的原位SiC掺杂MGB2线的形成
机译:化学掺杂对MgB2导线和散装样品的微观结构和超导性能的影响。
机译:自由表面重铸了几层MgB2中的超导电性:结合第一性原理和ARPES演示
机译:纳米al掺杂对mgB2块体超导体超导电性和微观结构的影响
机译:用于mgB2超导体的等离子体合成掺杂硼纳米粉末。第二阶段sBIR最终科学/技术报告。
机译:超导电性薄膜材料的制造方法,超导电性设备及超导电性薄膜材料
机译:旋转电氟西丁酮掩蔽素,具有超导电性,毡状,超导电性和超导电性
机译:用于制造半导体元件的方法包括:将具有大扩散系数的掺杂材料的离子注入到半导体中,并使用多个激光辐照装置辐照多个脉冲激光辐照。
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