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韩锦婉1; 章黎1; 蒋俊程1; 郑晨露1; 胡海琴1;
[1]台州学院物理与电子工程学院,浙江 台州;
FePt颗粒薄膜; 磁控溅射法; 垂直磁存储;
机译:高密度垂直磁存储FePt颗粒薄膜媒质的研究
机译:FePt和CoPt磁性纳米颗粒薄膜用于未来的高密度数据存储介质
机译:超高密度记录介质颗粒状FePt /(FePt)_(27)Ti_(73)薄膜的微观结构和磁性
机译:FePt-C颗粒薄膜在有限温度下的微磁研究
机译:钴铬钽/钴(3)氧(4)/铂垂直磁性薄膜介质的结构和磁性能的研究以及超高密度磁性位图的MFM研究。
机译:插入Ag纳米层的低温有序FePt薄膜的垂直磁化行为
机译:界面和形态在基于L10 FePt的垂直薄膜磁行为中的作用
机译:磁固态存储技术:垂直布洛赫线存储
机译:L10排序结构的FEPT纳米点阵,L10排序结构的FEPT纳米点阵的制造方法以及使用该阵列的高密度磁记录介质,能够应用于超高密度的磁记录介质通过使用毛细管力光刻术和控制工艺条件
机译:一种基于Fept晶粒定向结构LLO(FEPT)相形成磁性材料的方法,用于纵向或垂直磁性记录和存储信息
机译:制造L10等级的Feed Nanodot阵列的方法,L10等级的Fept nanodot阵列的制造方法,该方法是使用L10等级的Fept nanodot阵列使用相同且高密度的磁记录介质制造的
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