硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究

摘要

为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8MeV电子在4个辐照剂量(1013 cm-2～1014 cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果.辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600 nm～800 nm)基本不衰减.另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014 cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍.实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著.结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关.