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硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型

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摘要

在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上 ,提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型 ,它也可以看作是对 Zerbst模型的一种修正 .新模型的标准偏差小于 Pierret模型的标准偏差 .实验数据的分析表明 ,用该模型得到的产生寿命值与

著录项

来源
《浙江大学学报：工学版》 |2002年第3期|303-305|共3页
作者
丁扣宝;
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作者单位

浙江大学信息与电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
半导体; 产生区宽度模型; 硅; MOS结构; C-t瞬态分析;

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