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郭圣洁; 胡广达; 杨长红;
济南大学材料科学与工程学院,山东济南250022;
溶胶-凝胶法; 钛酸铅; 铁电薄膜; 掺杂;
机译:(Pb_(0.8),La_(0.1),Ca_(0.1))TiO_3 / Pb(Zr_(0.2),Ti_(0.8))O_3双层薄膜的微结构,畴结构和铁电性能
机译:La_()上的(100)取向Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3薄膜的结构和电性能化学溶液沉积0.7)Sr_(0.3)MnO_3电极
机译:脉冲激光沉积的Bapbo3导电薄膜的结构和电性能及其对PBZR0.52TI0.48O3 / BAPBO3异质结构的铁电性能的影响
机译:通过LANIO_3和PBTIO_3缓冲层改性NICR底物上Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的结构和电性能
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:(111)取向Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBZRO3-PBTIO3薄膜的结构和电性能用于高频换能器应用
机译:多纳米可生物降解的PLA / PBSA薄膜的结构和阻隔性能:通过强制组装共挤出的约束效应。
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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