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朱珊珊; 陈希明; 肖琦; 吴小国;
天津理工大学,电子信息工程学院,天津,300384;
磁控共溅射; Cr掺杂ZnO薄膜; 制备; 性能;
机译:可变能量正电子An没光谱法通过射频磁控共溅射制备的富硅SiO2薄膜中的缺陷
机译:衬底对磁控共溅射Cd1-x Mn(x)Te薄膜结构性能的影响
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:电极间距和靶角对磁控共溅射制备的掺Al Zno薄膜元素浓度和薄膜性能的影响
机译:磁控共溅射沉积组成梯度锶锶镧锰矿薄膜的综合研究。
机译:采用同步脉冲衬底偏压的混合高功率脉冲磁控/直流磁控共溅射制备Ti1-xalxN薄膜时金属与稀有气体离子辐照
机译:用于涂覆ICF靶的磁控共溅射系统。
机译:磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法
机译:磁控共溅射制备掺杂金属的ZNO薄膜的方法
机译:使用磁控共溅射和可穿戴电子设备的可拉伸混合薄膜电极
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