低温下多孔硅电学性质研究

摘要

在低温下 ( 1 0～ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化 ;二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱 .