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邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马晓宇; 吴荣汉; 王启明;
中国科学院半导体研究所国家集成光电子重点实验室;
谐振腔; SEED器件; 面阵; 光电子器件; 多量子阱; InGaAs/GaAs; DBR;
机译:MOVPE制备的<111>取向的GaAs / AlGaAs和inGaAs / GaAs量子阱结构及其光学和应变感应压电特性
机译:基于带有Mnδ掺杂层的量子阱GaAs / InGaAs异质结构的二极管结构的光电子特性
机译:具有带隙设计的渐变量子阱深度的GaAs / InGaAs量子阱太阳能电池的开路电压降到最低
机译:基于GaAs和InGaAs量子阱的垂直腔面发射激光器的激光特性
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:孔应变中的反定位和自旋轨道耦合 Gaas / InGaas / Gaas量子阱异质结构
机译:采用molecularBeam外延再生的InGaas-Gaas量子阱垂直腔面发射激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
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