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SiC外延工艺中的气体流体模型

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构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|541-544|共4页
作者
贾仁需; 张义门; 张玉明; 郭辉;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安;

710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
SiC; 基座; 流体模型; COMSOL;

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