不同制备方法下银薄膜的光电学性质比较

摘要

分别用磁控溅射和热蒸发的方法,在空白石英基片上室温沉积厚度300 nm的银薄膜样品,研究不同制备方法对样品的微观结构和光电学性质的影响.微观结构利用X-射线粉末衍射仪和扫描电镜观测,光电学性质应用分光光度计及Van der Pauw方法检测.结果表明,制备方法不同引起银薄膜样品的晶粒择优取向不同,磁控溅射制备的银薄膜（Sputtering Ag）的结晶性能比热蒸发制备的银薄膜（Evaporation Ag）结晶性能好;两种方法制备的银薄膜的光学反射率随波长的变化规律基本相同,在可见光和红外光区域,Evaporation Ag的光学反射率比Sputtering Ag稍高,且均超过95%;薄膜的电阻率都接近银块体材料的电阻率,但Sputtering Ag的电阻率为2.6μΩ·cm比Evaporation Ag的电阻率（2.8μΩ·cm）小.