SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜的制备

王新昌; 田四方; 贾建峰; 王前进

首页> 中文期刊>材料科学与工程学报 >SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜的制备

SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜的制备

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜.利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好.采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm.

著录项

来源
《材料科学与工程学报》|2010年第6期|810-812,817|共4页
作者
王新昌; 田四方; 贾建峰; 王前进;
展开▼
作者单位

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;

浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类压电陶瓷材料;薄膜物理学;
关键词
LiNbO3压电薄膜; 金刚石/硅基底; 脉冲激光沉积;
入库时间 2023-07-25 17:06:10

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究 [J] . 安玉凯 ,左长云 ,刘技文 . 天津理工大学学报 . 2011,第004期
2. 用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO_3薄膜的制备及结构研究 [J] . 杨保和 ,陈希明 ,赵捷 . 光电子．激光 . 2006,第3期
3. 适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析 [J] . 王芳 ,杨保和 . 光电子．激光 . 2005,第1期
4. 射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜 [J] . 杨保和 ,徐娜 ,陈希明 . 光电子．激光 . 2007,第12期
5. ZnO—SiO2—Si结构中压电薄膜C轴取向等参数对声表面波的影响 [J] . 邓明晰 . 应用声学 . 1997,第002期
6. 在GaN上沉积C轴取向的LiNbO3薄膜的优化实验参数测定 [C] . 陈国璋 ,杨凯 ,刘经斌 . 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 . 2012
7. 金刚石基LiNbO3压电薄膜的制备与声表面波性能研究 [A] . 田四方 . 2011

SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜的制备

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅