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机译:铜和镍无电沉积工艺甲醛和逆磷酸盐氧化机理的第一原理研究
机译:微孔金属泡沫制造电抛光辅助无电沉积工艺建模
机译:电沉积制备厚的无缓冲Tl-1223 / Ag高温超导涂层导体的新工艺
机译:取代化无电沉积工艺制备纳米间隙电极
机译:大气压等离子体CVD工艺的设计,该工艺使用介电势垒放电沉积氮化硅薄膜。
机译:超声波综合超临界-CO2电沉积工艺对铜膜制作的影响:电化学评价
机译:无电沉积工艺直接形成金属层阴离子交换膜
机译:溶剂精炼煤(sRC)工艺。从煤中生产无灰低硫燃料的工艺开发。第二卷。实验室研究。第4部分。实验室反应器研究和工艺变化的发展。研究与发展报告第53号,第19号中期报告,1974年7月至1975年12月。
机译:通过电沉积工艺或无电沉积工艺形成氧化铟膜的方法,设置有所述用于半导体元件的氧化铟膜的基板以及设置有所述基板的半导体元件
机译:形成镀膜对象的金属膜的情况为无电沉积模量,其利用无电沉积模量形成金属膜,而利用无电沉积模量形成金属膜。
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