不同温度热硫化纯Fe膜制备FeS2薄膜的研究

摘要

研究了在硫化压力为８０ｋＰａ、等温２０ｈ条件下，硫化温度对磁控溅射制备的纯Ｆｅ膜反应形成ＦｅＳ２多晶薄膜的影响。结果表明，在４００￣６００℃范围内，薄膜中反应生成ＦｅＳ２过程比较充分，尤其在４００℃硫化时，可以获得接近理想化学计量成分的、具有细小均匀组织形态的ＦｅＳ２薄膜。当温度超过４００℃后，ＦｅＳ２晶粒尺寸明显增大，但亚晶尺寸保持恒定。