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PCS先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺

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摘要

在聚碳硅烷(PCS)先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺参数中,浸渍溶液的PCS浓度对涂层形貌影响最大,而其他参数的影响很小.当PCS的浓度不大于30%时均可以获得均匀、致密的SiC涂层.随着PCS浓度的增大,涂层厚度增加;单次浸渍可获得的SiC涂层最大厚度为1～2μm.

著录项

来源
《材料工程》 |2003年第3期|28-30|共3页
作者
付志强; 唐春和; 梁彤祥;
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作者单位

清华大学核能技术设计研究院,北京,100084;

清华大学核能技术设计研究院,北京,100084;

清华大学核能技术设计研究院,北京,100084;

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正文语种 chi
中图分类慢化剂和反射层材料;金刚砂（碳化硅）;
关键词
SiC涂层; 聚碳硅烷; 浸渍;

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