重离子辐照SiO2/Si结构变温光致发光谱研究

摘要

本文研究了重离子辐照前后SiO2/Si结构光学性质的变化.实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36 nm和90 nm的SiO2/Si结构.并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO2/Si结构的光致发光谱(PL)谱.在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动.由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80 K时出现了一个新的光致发光峰.